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SCT20N120H

Référence fabricant:	SCT20N120H
Fabricant:	STMicroelectronics
Partie de la description:	SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	20A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	650 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	175W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	H2Pak-2
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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