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STMicroelectronics / SCT20N120

SCT20N120

Référence fabricant: SCT20N120
Fabricant: STMicroelectronics
Partie de la description: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Feuilles de données: SCT20N120 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Vidange à la tension de source (Vdss)1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C20A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 20 V
Vgs (max)+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds650 pF @ 400 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)175W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurHiP247™
Paquet / caisseTO-247-3
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