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SCT2H12NYTB

Référence fabricant:	SCT2H12NYTB
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Feuilles de données:	SCT2H12NYTB Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	1700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	4A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 410µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	184 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	44W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	TO-268
Paquet / caisse	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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