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Vishay / Siliconix / SISH615ADN-T1-GE3
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SISH615ADN-T1-GE3
| Référence fabricant: | SISH615ADN-T1-GE3 |
| Fabricant: | Vishay / Siliconix |
| Partie de la description: | MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK |
| Feuilles de données: | SISH615ADN-T1-GE3 Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
- Vishay / Siliconix SISH615ADN-T1-GE3 est disponible sur chipnets.com. Nous ne vendons que des pièces neuves et originales et offrons une garantie d'un an. Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un meilleur prix, veuillez nous contacter, cliquez sur le chat en ligne ou envoyez-nous un devis.
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | TrenchFET® Gen III |
| Paquet | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| État de la pièce | Active |
| Type de FET | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 20 V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 22.1A (Ta), 35A (Tc) |
| Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 183 nC @ 10 V |
| Vgs (max) | ±12V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5590 pF @ 10 V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de l'appareil fournisseur | PowerPAK® 1212-8SH |
| Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8SH |
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| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
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