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Vishay / Siliconix / SISH108DN-T1-GE3
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SISH108DN-T1-GE3
| Référence fabricant: | SISH108DN-T1-GE3 |
| Fabricant: | Vishay / Siliconix |
| Partie de la description: | MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH |
| Feuilles de données: | SISH108DN-T1-GE3 Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | TrenchFET® Gen II |
| Paquet | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| État de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 20 V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 14A (Ta) |
| Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
| Vgs (max) | ±16V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de l'appareil fournisseur | PowerPAK® 1212-8SH |
| Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8SH |
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| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
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