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Vishay / Siliconix / SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

Référence fabricant: SISH106DN-T1-GE3
Fabricant: Vishay / Siliconix
Partie de la description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
Feuilles de données: SISH106DN-T1-GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
SériesTrenchFET®
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C12.5A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 4.5 V
Vgs (max)±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.5W (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurPowerPAK® 1212-8SH
Paquet / caissePowerPAK® 1212-8SH
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État des stocks: 5638

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