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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VS-GT300YH120N

VS-GT300YH120N

Référence fabricant: VS-GT300YH120N
Fabricant: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Partie de la description: IGBT MOD 1200V 341A INT-A-PAK
Feuilles de données: VS-GT300YH120N Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type IGBTTrench
ConfigurationHalf Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)341 A
Puissance - Max1042 W
Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic2.17V @ 15V, 300A (Typ)
Courant - Coupure du collecteur (max)300 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce36 nF @ 30 V
SaisirStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / caisseDouble INT-A-PAK (3 + 8)
Package de l'appareil fournisseurDouble INT-A-PAK
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