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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VS-GT80DA120U

VS-GT80DA120U

Référence fabricant: VS-GT80DA120U
Fabricant: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Partie de la description: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
Feuilles de données: VS-GT80DA120U Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
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SériesHEXFRED®
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type IGBTTrench
ConfigurationSingle
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)139 A
Puissance - Max658 W
Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic2.55V @ 15V, 80A
Courant - Coupure du collecteur (max)100 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce4.4 nF @ 25 V
SaisirStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / caisseSOT-227-4, miniBLOC
Package de l'appareil fournisseurSOT-227
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