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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VS-GT75NP120N

VS-GT75NP120N

Référence fabricant: VS-GT75NP120N
Fabricant: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Partie de la description: IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK
Feuilles de données: VS-GT75NP120N Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceObsolete
Type IGBT-
ConfigurationSingle
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)150 A
Puissance - Max446 W
Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic2.08V @ 15V, 75A (Typ)
Courant - Coupure du collecteur (max)1 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce9.45 nF @ 30 V
SaisirStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / caisseINT-A-PAK (3 + 4)
Package de l'appareil fournisseurINT-A-PAK
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