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MHT1004GNR3

Référence fabricant:	MHT1004GNR3
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Feuilles de données:	MHT1004GNR3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Obsolete
Type de transistor	LDMOS
La fréquence	2.45GHz
Gagner	15.2dB
Tension - Test	32 V
Estimation actuelle (ampères)	10µA
Figure de bruit	-
Courant - Test	100 mA
Puissance - Sortie	280W
Tension - nominale	65 V
Paquet / caisse	OM-780-2G
Package de l'appareil fournisseur	OM-780-2 Gull

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