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MHT1108NT1

Référence fabricant:	MHT1108NT1
Fabricant:	NXP Semiconductors
Partie de la description:	RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
Feuilles de données:	MHT1108NT1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Last Time Buy
Type de transistor	LDMOS
La fréquence	2.45GHz
Gagner	18.6dB
Tension - Test	32 V
Estimation actuelle (ampères)	10µA
Figure de bruit	-
Courant - Test	110 mA
Puissance - Sortie	12.5W
Tension - nominale	65 V
Paquet / caisse	16-VDFN Exposed Pad
Package de l'appareil fournisseur	16-DFN (4x6)

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