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PBRN123EK,115

Référence fabricant:	PBRN123EK,115
Fabricant:	NXP Semiconductors
Partie de la description:	TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Feuilles de données:	PBRN123EK,115 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Obsolete
Type de transistor	NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	600 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)	40 V
Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms
Résistance - Base émetteur (R2)	2.2 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce	280 @ 300mA, 5V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic	1.15V @ 8mA, 800mA
Courant - Coupure du collecteur (max)	500nA
Fréquence - Transition	-
Puissance - Max	250 mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de l'appareil fournisseur	SMT3; MPAK

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