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PBRN113ZS,126

Référence fabricant:	PBRN113ZS,126
Fabricant:	NXP Semiconductors
Partie de la description:	TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
Feuilles de données:	PBRN113ZS,126 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Box (TB)
État de la pièce	Obsolete
Type de transistor	NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	800 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)	40 V
Résistance - Base (R1)	1 kOhms
Résistance - Base émetteur (R2)	10 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce	500 @ 300mA, 5V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic	1.15V @ 8mA, 800mA
Courant - Coupure du collecteur (max)	500nA
Fréquence - Transition	-
Puissance - Max	700 mW
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Package de l'appareil fournisseur	TO-92-3

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