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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / RN1103,LF(CT

RN1103,LF(CT

Référence fabricant: RN1103,LF(CT
Fabricant: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Feuilles de données: RN1103,LF(CT Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de transistorNPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)50 V
Résistance - Base (R1)22 kOhms
Résistance - Base émetteur (R2)22 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max)500nA
Fréquence - Transition250 MHz
Puissance - Max100 mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisseSC-75, SOT-416
Package de l'appareil fournisseurSSM
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État des stocks: 2724

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