Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / RN1109MFV,L3F
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RN1109MFV,L3F
| Référence fabricant: | RN1109MFV,L3F |
| Fabricant: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Partie de la description: | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
| Feuilles de données: | RN1109MFV,L3F Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | - |
| Paquet | Tape & Reel (TR) |
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100 mA |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max) | 50 V |
| Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
| Résistance - Base émetteur (R2) | 22 kOhms |
| Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Courant - Coupure du collecteur (max) | 500nA |
| Fréquence - Transition | - |
| Puissance - Max | 150 mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | SOT-723 |
| Package de l'appareil fournisseur | VESM |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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40 $ US par FedEx.
Arriver dans 3-5 jours
Express :(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Livraison gratuite sur les premiers 0,5 kg pour les commandes supérieures à 150 $, le surpoids sera facturé séparément
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