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SIZ900DT-T1-GE3

Référence fabricant:	SIZ900DT-T1-GE3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Feuilles de données:	SIZ900DT-T1-GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET	Logic Level Gate
Vidange à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	24A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1830pF @ 15V
Puissance - Max	48W, 100W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	6-PowerPair™
Package de l'appareil fournisseur	6-PowerPair™

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