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SIZ998DT-T1-GE3

Référence fabricant:	SIZ998DT-T1-GE3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Feuilles de données:	SIZ998DT-T1-GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual), Schottky
Fonction FET	Standard
Vidange à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Puissance - Max	20.2W, 32.9W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerWDFN
Package de l'appareil fournisseur	8-PowerPair®

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