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IR (Infineon Technologies) / IRF8313TRPBF
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IRF8313TRPBF
| Référence fabricant: | IRF8313TRPBF |
| Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
| Partie de la description: | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO |
| Feuilles de données: | IRF8313TRPBF Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | HEXFET® |
| Paquet | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| État de la pièce | Not For New Designs |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Logic Level Gate |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 9.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 9.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 15V |
| Puissance - Max | 2W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de l'appareil fournisseur | 8-SO |
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