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Rochester Electronics / IRF8313PBF

IRF8313PBF

Référence fabricant: IRF8313PBF
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: HEXFET POWER MOSFET
Feuilles de données: IRF8313PBF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesHEXFET®
PaquetTube
État de la pièceObsolete
Type de FET2 N-Channel (Dual)
Fonction FETStandard
Vidange à la tension de source (Vdss)30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds760pF @ 15V
Puissance - Max2W (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de l'appareil fournisseur8-SO
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État des stocks: 1471

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