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EPC2101ENGRT

Référence fabricant:	EPC2101ENGRT
Fabricant:	EPC
Partie de la description:	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Feuilles de données:	EPC2101ENGRT Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	*
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Discontinued at Digi-Key
Type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Vidange à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.7nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 30V
Puissance - Max	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	Die
Package de l'appareil fournisseur	Die

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