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EPC2107

Référence fabricant:	EPC2107
Fabricant:	EPC
Partie de la description:	GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Feuilles de données:	EPC2107 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	eGaN®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Fonction FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Vidange à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Puissance - Max	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	9-VFBGA
Package de l'appareil fournisseur	9-BGA (1.35x1.35)

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