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SI7962DP-T1-E3

Référence fabricant:	SI7962DP-T1-E3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
Feuilles de données:	SI7962DP-T1-E3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	Standard
Vidange à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	7.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 11.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Puissance - Max	1.4W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	PowerPAK® SO-8 Dual
Package de l'appareil fournisseur	PowerPAK® SO-8 Dual

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