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SI7913DN-T1-E3

Référence fabricant:	SI7913DN-T1-E3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
Feuilles de données:	SI7913DN-T1-E3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	2 P-Channel (Dual)
Fonction FET	Logic Level Gate
Vidange à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	37mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Puissance - Max	1.3W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	PowerPAK® 1212-8 Dual
Package de l'appareil fournisseur	PowerPAK® 1212-8 Dual

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