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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / HGTP5N120BND
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HGTP5N120BND
| Référence fabricant: | HGTP5N120BND |
| Fabricant: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Partie de la description: | IGBT 1200V 21A 167W TO220AB |
| Feuilles de données: | HGTP5N120BND Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | - |
| Paquet | Tube |
| État de la pièce | Not For New Designs |
| Type IGBT | NPT |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max) | 1200 V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 21 A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 40 A |
| Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 5A |
| Puissance - Max | 167 W |
| Énergie de commutation | 450µJ (on), 390µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 53 nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 22ns/160ns |
| Condition de test | 960V, 5A, 25Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | 65 ns |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / caisse | TO-220-3 |
| Package de l'appareil fournisseur | TO-220-3 |
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| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
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