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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / HGTP12N60A4D

HGTP12N60A4D

Référence fabricant: HGTP12N60A4D
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description: IGBT 600V 54A TO220-3
Feuilles de données: HGTP12N60A4D Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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Séries-
PaquetTube
État de la pièceLast Time Buy
Type IGBT-
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)600 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)54 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)96 A
Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A
Puissance - Max167 W
Énergie de commutation55µJ (on), 50µJ (off)
Type d'entréeStandard
Charge de porte78 nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C17ns/96ns
Condition de test390V, 12A, 10Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)30 ns
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / caisseTO-220-3
Package de l'appareil fournisseurTO-220-3
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