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Référence fabricant: | IMW120R220M1HXKSA1 |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
Partie de la description: | SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3 |
Feuilles de données: | IMW120R220M1HXKSA1 Feuilles de données |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
État des stocks: | En stock |
Expédier de: | Hong Kong |
Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Taper | La description |
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Séries | CoolSiC™ |
Paquet | Tube |
État de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Vidange à la tension de source (Vdss) | 1.2 kV |
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 13A (Tc) |
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 15V, 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 286mOhm @ 4A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1.6mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 18 V |
Vgs (max) | +23V, -7V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 289 pF @ 800 V |
Fonction FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 75W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de l'appareil fournisseur | PG-TO247-3-41 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
État des stocks: 696
Le minimum: 1
Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
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