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IMW120R045M1XKSA1

Référence fabricant:	IMW120R045M1XKSA1
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Feuilles de données:	IMW120R045M1XKSA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	CoolSiC™
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	1.2 kV
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	52A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.7V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	52 nC @ 15 V
Vgs (max)	+20V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1.9 nF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	228W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	PG-TO247-3-41
Paquet / caisse	TO-247-3

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