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Renesas Electronics America / NP100N055PUK-E1-AY

NP100N055PUK-E1-AY

Référence fabricant: NP100N055PUK-E1-AY
Fabricant: Renesas Electronics America
Partie de la description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263
Feuilles de données: NP100N055PUK-E1-AY Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C100A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.25mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds7350 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.8W (Ta), 176W (Tc)
Température de fonctionnement175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurTO-263 (D²Pak)
Paquet / caisseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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