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Référence fabricant: | NP100P04PLG-E1-AY |
Fabricant: | Renesas Electronics America |
Partie de la description: | MOSFET P-CH 40V 100A TO263 |
Feuilles de données: | NP100P04PLG-E1-AY Feuilles de données |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
État des stocks: | En stock |
Expédier de: | Hong Kong |
Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Taper | La description |
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Séries | - |
Paquet | Tape & Reel (TR) |
État de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Vidange à la tension de source (Vdss) | 40 V |
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 320 nC @ 10 V |
Vgs (max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15100 pF @ 10 V |
Fonction FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta), 200W (Tc) |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de l'appareil fournisseur | TO-263 |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
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