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IPS70R1K4P7SAKMA1

Référence fabricant:	IPS70R1K4P7SAKMA1
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Feuilles de données:	IPS70R1K4P7SAKMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	CoolMOS™ P7
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	4A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	4.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	158 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	22.7W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	PG-TO251-3
Paquet / caisse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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