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IR (Infineon Technologies) / IPS70R2K0CEAKMA1

IPS70R2K0CEAKMA1

Référence fabricant: IPS70R2K0CEAKMA1
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Feuilles de données: IPS70R2K0CEAKMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesCoolMOS™
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C4A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 70µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs7.8 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds163 pF @ 100 V
Fonction FETSuper Junction
Dissipation de puissance (max)42W (Tc)
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurPG-TO251-3
Paquet / caisseTO-251-3 Stub Leads, IPak
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État des stocks: 1603

Le minimum: 1

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