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NTE455

Référence fabricant:	NTE455
Fabricant:	NTE Electronics, Inc.
Partie de la description:	MOSFET-DUAL GATE N-CH
Feuilles de données:	NTE455 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bag
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	25mA
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3.5 pF @ 10 V
Fonction FET	Standard
Dissipation de puissance (max)	200mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 125°C
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	-
Paquet / caisse	SOT-103

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