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NTE Electronics, Inc. / NTE454

NTE454

Référence fabricant: NTE454
Fabricant: NTE Electronics, Inc.
Partie de la description: MOSFET-DUAL GATE N-CH
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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Séries-
PaquetBag
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C60mA
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (max)-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3.3 pF @ 15 V
Fonction FETStandard
Dissipation de puissance (max)1.2W
Température de fonctionnement-65°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurTO-72
Paquet / caisseTO-72-3
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État des stocks: 85

Le minimum: 1

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