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RQ3E075ATTB

Référence fabricant:	RQ3E075ATTB
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Feuilles de données:	RQ3E075ATTB Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	18A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	10.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	930 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	15W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	8-HSMT (3.2x3)
Paquet / caisse	8-PowerVDFN

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