L'image est pour référence, s'il vous plaît contactez-nous pour obtenir la vraie image

RQ3E100MNTB1

Référence fabricant:	RQ3E100MNTB1
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Feuilles de données:	RQ3E100MNTB1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

REMARQUE: ROHM Semiconductor RQ3E100MNTB1 est disponible sur chipnets.com. Nous ne vendons que des pièces neuves et originales et offrons une garantie d'un an. Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un meilleur prix, veuillez nous contacter, cliquez sur le chat en ligne ou envoyez-nous un devis.

Tous les composants Eelctronics seront emballés en toute sécurité grâce à la protection antistatique ESD.

package

spécification

Taper	La description
Séries	*
Paquet	Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	10A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	9.9 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	520 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	8-HSMT (3.2x3)
Paquet / caisse	8-PowerVDFN

OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 5286

Le minimum: 1

Quantité	Prix unitaire	Poste Prix
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ

Calcul du fret

40 $ US par FedEx.

Arriver dans 3-5 jours

Express :(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Livraison gratuite sur les premiers 0,5 kg pour les commandes supérieures à 150 $, le surpoids sera facturé séparément

Modèles populaires

Cet article a été ajouté à votre panier.