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Rochester Electronics / FQD6P25TF

FQD6P25TF

Référence fabricant: FQD6P25TF
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
Feuilles de données: FQD6P25TF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesQFET®
PaquetBulk
État de la pièceObsolete
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C4.7A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1Ohm @ 2.35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V
Vgs (max)±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds780 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.5W (Ta), 55W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurD-Pak
Paquet / caisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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