Rochester Electronics / FQD60N03LTM
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FQD60N03LTM
| Référence fabricant: | FQD60N03LTM |
| Fabricant: | Rochester Electronics |
| Partie de la description: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | * |
| Paquet | Bulk |
| État de la pièce | Active |
| Type de FET | - |
| La technologie | - |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | - |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | - |
| Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (max) | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | - |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | - |
| Package de l'appareil fournisseur | - |
| Paquet / caisse | - |
État des stocks: 10000
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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Calcul du fret
40 $ US par FedEx.
Arriver dans 3-5 jours
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