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Rochester Electronics / PMN35EN,115

PMN35EN,115

Référence fabricant: PMN35EN,115
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Feuilles de données: PMN35EN,115 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C5.1A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs9.3 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds334 pF @ 15 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)500mW (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur6-TSOP
Paquet / caisseSC-74, SOT-457
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 211087

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