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NXP Semiconductors / PMN34UN,135

PMN34UN,135

Référence fabricant: PMN34UN,135
Fabricant: NXP Semiconductors
Partie de la description: MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP
Feuilles de données: PMN34UN,135 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesTrenchMOS™
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C4.9A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs46mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs9.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max)±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds790 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.75W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur6-TSOP
Paquet / caisseSC-74, SOT-457
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