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FDFMA2P859T

Référence fabricant:	FDFMA2P859T
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Feuilles de données:	FDFMA2P859T Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	PowerTrench®
Paquet	Bulk
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	3A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	435 pF @ 10 V
Fonction FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max)	1.4W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	MicroFET 2x2 Thin
Paquet / caisse	6-UDFN Exposed Pad

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