Rochester Electronics / FDFME2P823ZT
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FDFME2P823ZT
| Référence fabricant: | FDFME2P823ZT |
| Fabricant: | Rochester Electronics |
| Partie de la description: | 2.6A, 20V, P-CHANNEL MOSFET |
| Feuilles de données: | FDFME2P823ZT Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | PowerTrench® |
| Paquet | Bulk |
| État de la pièce | Active |
| Type de FET | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 20 V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 2.6A (Ta) |
| Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 142mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 4.5 V |
| Vgs (max) | ±8V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 405 pF @ 10 V |
| Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipation de puissance (max) | 1.4W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de l'appareil fournisseur | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
| Paquet / caisse | 6-UFDFN Exposed Pad |
État des stocks: 40000
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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Calcul du fret
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