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SCTW40N120G2VAG

Référence fabricant:	SCTW40N120G2VAG
Fabricant:	STMicroelectronics
Partie de la description:	SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	Automotive, AEC-Q101
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	33A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 20A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1230 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	290W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	HiP247™
Paquet / caisse	TO-247-3

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