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STMicroelectronics / SCTWA10N120

SCTWA10N120

Référence fabricant: SCTWA10N120
Fabricant: STMicroelectronics
Partie de la description: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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Séries*
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de FET-
La technologie-
Vidange à la tension de source (Vdss)-
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C-
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (max)-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)-
Température de fonctionnement-
Type de montage-
Package de l'appareil fournisseur-
Paquet / caisse-
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État des stocks: 600

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