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Référence fabricant: | SPP20N65C3XKSA1 |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
Partie de la description: | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3 |
Feuilles de données: | SPP20N65C3XKSA1 Feuilles de données |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
État des stocks: | En stock |
Expédier de: | Hong Kong |
Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Taper | La description |
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Séries | CoolMOS™ |
Paquet | Tube |
État de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Vidange à la tension de source (Vdss) | 650 V |
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 20.7A (Tc) |
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 13.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
Vgs (max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
Fonction FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 208W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de l'appareil fournisseur | PG-TO220-3-1 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
État des stocks: 30
Le minimum: 1
Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
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