IR (Infineon Technologies) / SPP20N65C3HKSA1
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SPP20N65C3HKSA1
| Référence fabricant: | SPP20N65C3HKSA1 |
| Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
| Partie de la description: | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3 |
| Feuilles de données: | SPP20N65C3HKSA1 Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | CoolMOS™ |
| Paquet | Tube |
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 650 V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 20.7A (Tc) |
| Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 13.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Vgs (max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 208W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de l'appareil fournisseur | PG-TO220-3-1 |
| Paquet / caisse | TO-220-3 |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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Calcul du fret
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Arriver dans 3-5 jours
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