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BSC22DN20NS3GATMA1

Référence fabricant:	BSC22DN20NS3GATMA1
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Feuilles de données:	BSC22DN20NS3GATMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	OptiMOS™
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	7A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	225mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 13µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	430 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	34W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	PG-TDSON-8-5
Paquet / caisse	8-PowerTDFN

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