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BSC200P03LSGAUMA1

Référence fabricant:	BSC200P03LSGAUMA1
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET P-CH 30V 9.9/12.5A 8TDSON
Feuilles de données:	BSC200P03LSGAUMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	OptiMOS™
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	48.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2430 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 63W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	PG-TDSON-8-1
Paquet / caisse	8-PowerTDFN

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