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IR (Infineon Technologies) / BSS209PW L6327

BSS209PW L6327

Référence fabricant: BSS209PW L6327
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3
Feuilles de données: BSS209PW L6327 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesOptiMOS™
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceObsolete
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C580mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 3.5µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs1.38 nC @ 4.5 V
Vgs (max)±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds89.9 pF @ 15 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)300mW (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurPG-SOT323-3
Paquet / caisseSC-70, SOT-323
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