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IR (Infineon Technologies) / BSS209PWH6327XTSA1

BSS209PWH6327XTSA1

Référence fabricant: BSS209PWH6327XTSA1
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Feuilles de données: BSS209PWH6327XTSA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesOptiMOS™
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C630mA (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 3.5µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs1.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max)±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds115 pF @ 15 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)300mW (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurPG-SOT323-3
Paquet / caisseSC-70, SOT-323
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État des stocks: 17217

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