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Vishay / Siliconix / SI8424DB-T1-E1

SI8424DB-T1-E1

Référence fabricant: SI8424DB-T1-E1
Fabricant: Vishay / Siliconix
Partie de la description: MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT
Feuilles de données: SI8424DB-T1-E1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
SériesTrenchFET®
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)8 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C12.2A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 5 V
Vgs (max)±5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1950 pF @ 4 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur4-Microfoot
Paquet / caisse4-XFBGA, CSPBGA
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